三级日本高清完整版热播,成人免费无码AV,国产精品亚洲а∨天堂免,熟女熟妇伦AV网站

全國免費咨詢(xún)熱線(xiàn)4008-616-816

聯(lián)系我們

contact

銷(xiāo)售熱線(xiàn)銷(xiāo)售熱線(xiàn):

0571-88096653

0571-88096659

全國咨詢(xún)熱線(xiàn)全國咨詢(xún)熱線(xiàn):

4008-616-816

郵箱郵箱:

sales@weihengkj.com

地址地址:

杭州錢(qián)江經(jīng)濟開(kāi)發(fā)區仁河大道516號紫創(chuàng )未來(lái)智造谷3號樓(技術(shù)研發(fā)中心)

湖州市德清環(huán)城北路889號啟恒U谷產(chǎn)業(yè)園28幢(生產(chǎn)制造中心)

新能源汽車(chē)電機控制器的設計與測試

發(fā)布日期:2024-05-30新聞來(lái)源:威衡科技

新能源汽車(chē)作為重點(diǎn)扶持的新興產(chǎn)業(yè),發(fā)展新能源汽車(chē)已經(jīng)成為保障能源安全和轉型低碳經(jīng)濟的重要途徑??刂破髯鳛樾履茉措妱?dòng)汽車(chē)的三大核心技術(shù)之一,其未來(lái)的發(fā)展趨勢是高功率密度、高度集成化、輕量化。

電機控制器要想實(shí)現高功率密度通常采用電力電子模塊集成技術(shù)和模塊化的設計理念,將汽車(chē)級功率器件IGBT、IGBT驅動(dòng)和控制單元、復合母排、膜電容器以及低熱阻的散熱器等關(guān)鍵部件高度集成,開(kāi)展大功率、高功率密度驅動(dòng)電機控制器的產(chǎn)品優(yōu)化與集成設計??刂破髦械墓β誓K是提升功率密度的關(guān)鍵器件。

1、結構設計與電氣原理

為了實(shí)現高功率密度,充分利用控制器內部的體積,同時(shí)兼顧裝配和制造簡(jiǎn)捷,控制器主要通過(guò)研究IGBT模塊、驅動(dòng)電路、薄膜電容器、高效散熱器的高度封裝集成,實(shí)現了功率部件的直焊互連集成設計與焊接工藝,為整車(chē)高溫、高濕、振動(dòng)等復雜環(huán)境條件下電機控制器的可靠性提供保障,同時(shí)提升了電機控制器功率密度水平。

2、IGBT模塊和膜電容器

(1)IGBT模塊

在設計控制器時(shí)采用扁平化的雙面焊接單面散熱IGBT模塊實(shí)物,該IGBT的電壓為750V,電流為800A,比傳統的IGBT體積小,模塊內部芯片采用雙面焊接結構設計,在功率模塊熱阻上遠小于平面型結構,同等條件下大大提升了功率模塊的輸出容量,提高了功率密度。

(2)薄膜電容器

為了減小模塊與電容器之間的寄生電感以及改善模塊與電容器連接空間,縮短模塊與電容器之間的連接線(xiàn)路,開(kāi)展了電容器與功率模塊的連接技術(shù)研究。為了進(jìn)一步減小電路所需薄膜電容器的額定電壓和容量,同時(shí)提高電容器的耐電流水平,從而達到減小電容器體積的目的。

為了確認薄膜電容器減少容值體積和改善電感以后的熱可靠性,需要進(jìn)一步對薄膜電容器開(kāi)展熱仿真分析。根據控制器整機運行環(huán)境條件,薄膜電容器底面溫度設定為80℃,周?chē)h(huán)境溫度設定為85℃,使用仿真軟件對薄膜電容器進(jìn)行熱仿真。

3、冷卻結構設計與仿真

IGBT模塊在運行狀態(tài)下會(huì )產(chǎn)生大量的熱損耗。需要用相應的散熱結構增加熱交換面積,帶走模塊所產(chǎn)生的熱量??紤]到過(guò)高的溫度會(huì )縮短IGBT的壽命并可能降低整個(gè)控制器在使用過(guò)程中的可靠性,該款控制器需要對散熱系統進(jìn)行可靠性分析,在目前散熱分析中,主要通過(guò)仿真軟件計算IGBT在不同工況下的最高溫度以及后續樣機的驗證分析。從散熱仿真結果可以看出,模塊在峰值工況下芯片的最高溫度為131.05℃,IGBT模塊長(cháng)期穩定運行的耐溫為150℃,在使用要求范圍內。

4、臺架試驗

為了確保電機控制器能夠在整車(chē)的不同工況下平穩的運行,同時(shí),使該控制器具有經(jīng)濟適用性,對所設計控制器制作樣機,對系統進(jìn)行系統性能測試,并對控制器效率進(jìn)行測試,冷卻液溫度設定為65℃。

(1)系統性能測試

在設計電機控制器效率MAP與系統效率MAP測試時(shí),電動(dòng)工況下,控制器最高效率為97.82%,系統最高效率為94.69%;發(fā)電工況下,控制器最高效率為98.23%,系統最高效率為94.83%;控制器效率大于90%的高效區面積占84.66%,系統效率大于80%的高效區面積占83.56%。

(2)溫升測試

在功率密度得到提高的同時(shí),IGBT產(chǎn)生的熱量也迅速增加,因此要著(zhù)重關(guān)注IGBT本身的溫升效果。對控制器進(jìn)行溫升測試。在峰值工況下模塊內部溫度傳感器的最高溫度為95℃,由此反推IGBT芯片的最高溫度不會(huì )超過(guò)120℃,低于IGBT芯片結溫150℃,可長(cháng)期運行。



上一篇:磁滯測功機的校準方法與技巧

下一篇:沒(méi)有了

返回列表